|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Улучшение эксплуатационных характеристик отечественных IGBT транзисторов методом радиационной технологиитезисы доклада Тезисы
- Авторы: Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Лагов П.Б.
- Сборник: Труды Всероссийской конференции “Стойкость-2002” (г.Лыткарино, 4-6 июня 2002)
- Серия: РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ
- Том: 5
- Тезисы
- Год издания: 2002
- Место издания: СПЭЛС Москва
- Первая страница: 195
- Последняя страница: 196
- Аннотация: Представлены экспериментальные результаты по улучшению комплекса параметров и радиационной стойкости отечественных биполярных транзисторов с изолированным затвором
- Добавил в систему: Лагов Петр Борисович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | 2002_195-196.pdf | 2,7 МБ | 6 декабря 2018 [lagov2000] |