Энергетическое положение и концентрация глубоких радиационных центров в базовой области силовых кремниевых p-n структур при облучении и отжиге

Авторы: Коновалов М.П., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Орлова М.Н., Ручкин М.В., Сурма А.М.
Сборник: Третья Международная конференция по физике кристаллов "Кристаллофизика 21-го века" (20-26 ноября 2006 г.)
Тезисы
Год издания: 2006
Место издания: Москва-Черноголовка
Первая страница: 337
Последняя страница: 338
Аннотация: Методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней исследованы параметры глубоких центров в силовых диодных структурах ДЧ143 на основе "зонного" кремния КОФ-40 (кремний облученный легированный фосфором), полученного нейтронной трансмутацией. Стабильные радиационные центры сформированы облучением 6 МэВ электронами и последующим относительно высокотемпературным отжигом. Радиационная обработка электронами используется при создании быстродействующих силовых диодов ДЧ143.
Добавил в систему: Лагов Петр Борисович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА