Аннотация:В качестве элементов сверхпроводящей памяти предлагается использовать структуры со спиральным антиферромагнетиком. Первая структура состоит из двух слоев, одного сверхпроводящего и одного магнитного со спиральной намагниченностью. Вторая является джозефсоновским контактом со спиральным магнетиком в качестве слабой связи. Описано, как переключаться между логическими состояниями в предложенных структурах.
