Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур InxGa1-xN/Si(111)статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2019 г.
Аннотация:С использованием метода молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложке монокристаллического кремния c-Si(111) и подложке с нанопористым буферным подслоем (por-Si) нами были выращены интегрированные гетероструктуры с наноколончатой морфологией пленки InxGa1-xN. С привлечением комплекса структурных и микроскопических методов анализа было показано, что рост наноколонок InxGa1-xN на нанопористом буферном слое имеет ряд преимуществ по сравнению с ростом на c-Si. Подложка por-Si задает преимущественную ориентацию роста наноколонок InxGa1-xN ближе к направлению ориентации Si(111), а также позволяет получить наноколонны InxGa1-xN с более высокой кристаллографической однородностью и унифицированным по всей поверхности латеральным размером наноколонн ~40 нм. Рост наноколонн InxGa1-xN на пористом слое por-Si приводит к снижению величины компонент деформации varepsilonxx и varepsilonzz, а также плотности краевых и винтовых дислокаций по сравнению с величинами аналогичных коэффициентов для наноколонн InxGa1-xN выращенных на c-Si. Полученный на por-Si наноколончатый слой InxGa1-xN обладает более высокой концентрацией носителей заряда (+20%) по сравнению со слоем, выращенный на c-Si, а также более высокой интенсивностью квантового выхода фотолюминесценции (+25%).