|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Characteristics of diode structures based on the p-Pbte(Ga)-In contactстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Akimov B.A., Bogdanov E.V., Bogoyavlenskiy V.A., Ryabova L.I., Shtanov V.I.
- Журнал: Infrared Physics and Technology
- Том: 39
- Номер: 5
- Год издания: 1998
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 287
- Последняя страница: 292
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович