|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
X-ray topo-tomography studies of linear dislocations in silicon single crystalsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 14 февраля 2019 г.
- Авторы: Asadchikov V., Chukhovskii F., Zolotov D., Suvorov E.
- Журнал: Journal of Applied Crystallography
- Том: 51
- Номер: 6
- Год издания: 2018
- Издательство: Blackwell Publishing Inc.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 1616
- Последняя страница: 1622
- Добавил в систему: Суворов Эрнест Витальевич