Влияние различных видов отжига на термооксидирование структур VxOy/OnP, сформированных осаждением геля оксида ванадия(v), фазовый состав и морфологию пленок

Миттова, И.Я.; Томина, Е.В.; Сладкопевцев, Б.В.; Донцов, А.И.

Авторы: Миттова И.Я., Томина Е.В., Сладкопевцев Б.В., Донцов А.И.
Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Номер: 9
Год издания: 2014
Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: 91
Последняя страница: 100
DOI: 10.7868/S0207352814090145
Аннотация: Методами рентгенофазового анализа, электронной оже-спектроскопии, сканирующей туннельной микроскопии установлено влияние разных видов отжига (термического и импульсного фотонного) синтезированных с использованием геля пентаоксида ванадия гетероструктур VxOy/InP на процесс их термооксидирования, фазовый состав и морфологию пленок. Термический отжиг позволяет формировать пленки со сглаженным рельефом поверхности в отсутствие взаимодействия пленкаподложка до начала термооксидирования. Импульсная фотонная обработка приводит к более эффективной и быстрой кристаллизации аморфной фазы геля V2O5 и ускорению роста оксидных пленок в процессе термооксидирования гетероструктур VxOy/InP по сравнению с термическим отжигом. В результате импульсной фотонной обработки образуется InVO4 как продукт взаимодействия полупроводниковой подложки с нанесенным хемостимулятором, что является атрибутом жестких методов нанесения хемостимуляторов магнетронного напыления и электровзрыва проводника.
Добавил в систему: Донцов Алексей Игоревич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

Влияние различных видов отжига на термооксидирование структур VxOy/OnP, сформированных осаждением геля оксида ванадия(v), фазовый состав и морфологию пленокстатья

Прикрепленные файлы