Negative hopping magnetoresistance in silicon nitrideстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus ,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 февраля 2016 г.
Авторы:
Asadullayev N.A.a ,
Brandt N.B.a ,
Chudinov S.M.a ,
Kozlov S.N.a ,
Ciric I.b.
Журнал:
Solid State Communications
Том:
61
Номер:
9
Год издания:
1987
Издательство:
Elsevier BV
Местоположение издательства:
Netherlands
Первая страница:
515
Последняя страница:
518
DOI:
10.1016/0038-1098(87)90158-X
Аннотация:
The conductivity of MONOS-structures (metal-oxide- nitride-oxide-semiconductor) have been studied over a wide range of temperatures (4 - 300 K) in high electric fields up to 8 MV/cm and in magnetic fields up 70 kG. Positive hopping magnetoresistance, exponentially dependent on magnetic field H have been found at temperatures T<23 K. In the hopping conductivity regime at 23 < T < 250 K the negative magnetoresistance is observed. A model of negative magnetoresistance in amorphous silicon nitride is discussed. © 1987.
Добавил в систему:
Козлов Сергей Николаевич