|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
О механизме накопления радиационно-индуцированного заряда в окисном слое МДП-транзисторов на основе кремниястатья
- Авторы: Козлов С.Н., Касумов Ю.Н., Щеблыкин Ю.В.
- Сборник: Автоматика и вычислитеьная техника в производстве
- Год издания: 1990
- Место издания: Изд-во МИИСП Москва
- Первая страница: 61
- Последняя страница: 67
- Добавил в систему: Козлов Сергей Николаевич