|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Dependence of the singlet oxygen photosensitization efficiency on morphology of porous siliconстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Ryabchikov Yu V., Belogorokhov I.A., Vorontsov A.S., Osminkina L.A., Timoshenko V.Yu, Kashkarov P.K.
- Журнал: Phys. Stat. Sol.(a)
- Том: 204
- Номер: 5
- Год издания: 2007
- Первая страница: 1271
- Последняя страница: 1275
- DOI: 10.1002/pssa.200674306
- Аннотация: We investigate the effect of oxygen molecule adsorption on the photoluminescence of porous silicon films of different porosity. The experimental results are explained by the photosensitization of singlet oxygen generation due to the energy transfer from excitons confined in Si nanocrystals to O2 molecules adsorbed on the Si nanocrystal surface. The energy transfer time and photosensitization efficiency are found to depend on porosity of the samples. The singlet oxygen generation efficiency increases strongly for porous silicon with high (>80%) porosity.
- Добавил в систему: Осминкина Любовь Андреевна