|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Probing the silicon-silicon oxide interface of Si(111)-SiO2-Cr MOS structures by DC-electric-field-induced second harmonic generationстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Aktsipetrov O.A., Fedyanin A.A., Mishina E.D., Rubtsov A.N., vanHasselt C.W., Devillers M.A.C, Rasing T.
- Журнал: Surface Science
- Том: 352
- Год издания: 1996
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 1033
- Последняя страница: 1037
- DOI: 10.1016/0039-6028(95)01322-9
- Аннотация: The buried Si(111)-SiO2 interface has been studied in transmission through planar Si-SiO2-Cr MOS structures using DC-electric-field-induced second-harmonic generation (EISHG). The rotational anisotropy and oxide thickness dependence of EISHG have been measured. Multiple reflections in the oxide layer and interference effects between field-dependent and field-independent contributions to the nonlinear polarization are shown to affect the shape of the EISHG bias dependence. From a simple model the relative size of field-dependent and field-independent contributions can be estimated. In this way, information about the interface charge distribution can be obtained.
- Добавил в систему: Рубцов Алексей Николаевич