|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражениястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Асланян А.Э., Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 53
- Номер: 4
- Год издания: 2019
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 493
- Последняя страница: 499
- Добавил в систему: Червяков Анатолий Васильевич