|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Band bending driven evolution of the bound electron states at the interface between a 3D topological insulator and a 3D normal insulatorстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 июня 2016 г.
- Авторы: Menshov V.N., Tugushev V.V., Eremeev S.V., Echenique P.M., Chulkov E.V.
- Журнал: Physical Review B
- Том: 91
- Год издания: 2015
- Издательство: American Physical Society
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 075307
- Последняя страница: 075307
- Добавил в систему: Тугушев Виктор Витальевич