Графитизация поверхности алмаза при высокодозной ионной бомбардировкестатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 мая 2017 г.
Аннотация:Приведены результаты структурно-морфологических исследований, измерений слоевого электросопротивления и оценки удельного сопротивления м графитоподобного проводящего поверхностного слоя, образующегося при высокодозном облучении грани (111) синтетического алмаза ионами Ar+ энергии 30 кэВ и температуре мишени 400°C. Найдено, что ориентирующее действие решетки алмаза проявляется в подавлении образования графитовых кристаллитов с осью с, перпендикулярной поверхности. Толщина модифицированного слоя составляет 4050 нм, его слоевое сопротивление 0.5 кОм/квадрат. Удельное электросопротивление м = 2025 мкОм · м модифицированного слоя приходится на диапазон значений графитовых и стеклоуглеродных материалов.