|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Uniaxial stress applied to p-type GaAs/AlGaAs heterostructures: Influence on heavy hole subbandsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
- Авторы: Hansen Ole P., Olsen Janus S., Kraak W., Saffian B., Minina N., Savin A.
- Сборник: Proceedings of the 1995 MRS Fall Meeting
- Том: 405
- Год издания: 1996
- Место издания: Materials Research Society
- Первая страница: 43
- Последняя страница: 47
- Аннотация: Quantum Hall effect and Shubnikov-de Haas oscillations in a 2D hole gas at a p-GaAs/Al0.5Ga0.5As (001) interface show, that under in-plane (110) uniaxial compression a redistribution of carriers between the two spin-splitted subbands of the ground heavy hole state takes place. At the maximal compression of 2.5 kbar the carrier density of the most populated subband is decreased by 18%, while the total carrier density remains almost unchanged. A decrease of the spin-splitting under the uniaxial compression is proposed.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна