|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Linear-polarization of photoluminescence and raman-scattering in open InGaAs/InP quantum-well wiresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2016 г.
- Авторы: Gippius N.A., Tikhodeev S.G., Rubio J., Calleja J.M., Ils P., Forchel A., Kulakovskii V.D.
- Журнал: Physica Status Solidi (B): Basic Research
- Том: 188
- Номер: 1
- Год издания: 1995
- Издательство: John Wiley & Sons Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 269
- Последняя страница: 273
- DOI: 10.1002/pssb.2221880124
- Аннотация: The photoluminescence and Raman scattering intensities of InGaAs/InP quantum well wires with wire widths L(x) between 10 nm and 1 mu m are strongly polarized parallel to the wire axis. This effect is mainly due to the spatial redistribution of the electric component of the electromagnetic field in the vicinity of the quantum wire.
- Добавил в систему: Тиходеев Сергей Григорьевич