Problem of impurity states in narrow-gap lead telluride-based semiconductorsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
Аннотация:A review of recent results of experimental investigations devoted to studying unusual properties of impurity states in doped narrow-gap lead telluride-based semiconductors is presented. These results are analyzed in the framework of existing theoretical concepts. (C) 2004 MAIK "Nauka / Interperiodica".