|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Photoluminescence in semiconductor structures based on butyl-substituted erbium phthalocyanine complexesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Belogorokhov I.A., Ryabehikov Yu V., Tikhonov E.V., Pushkarev V.E., Breusova M.O., Tomilova L.G., Khokhlov D.R.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 42
- Номер: 3
- Год издания: 2008
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 321
- Последняя страница: 324
- DOI: 10.1134/S1063782608030147
- Аннотация: The study is concerned with the luminescence properties of ensembles of semiconductor structures containing organic phthalocyanine molecules with erbium ions as complexing agents. The photoluminescence spectra of the structures of the type of erbium monophthalocyanine, bisphthalocyanine, and triplithalocyanine are recorded. The photoluminescence peaks are detected at the wavelengths 888, 760, and 708 nm (and photon energies 1.4, 1.6, and 1.75 eV) corresponding to electronic transitions within the organic complexes. It is found that, when a metal complexing agent is introduced into the molecular structure of the ligand, the 708 nm luminescence peak becomes unobservable. It is shown that, in the bisphthalocyanine samples, the photoluminescence signal corresponding to transitions from the 4F(9/2) level of erbium ions is enhanced.
- Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | 3._Semiconductors.2008_321.pdf | 190,1 КБ | 4 октября 2016 [PushkarevVE] |