|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
MAGNETIC-FIELD-INDUCED LOCALIZATION IN PB1-XSNXTE(IN)статья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 сентября 2013 г.
- Авторы: KHOKHLOV DR, IVANCHIK II, DEVISSER A., NIKORICH AV
- Журнал: Semiconductor Science and Technology
- Том: 8
- Номер: 1
- Год издания: 1993
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: S352
- Последняя страница: S355
- DOI: 10.1088/0268-1242/8/1S/079
- Аннотация: We report on the high-field (H < 400 kOe) magnetoresistance of initially dielectric Pb0.75Sn0.25Te(In). The data taken at 1.4-4.2 K show an increase in magnetoresistance with time (localization) for a relatively low concentration of non-equilibrium electrons n. The characteristic time for localization tau depends exponentially on H and linearly on T. The possible origins of the effect are discussed.
- Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович