Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Положительная задержанная фотопроводимость в двойных гетероструктурах Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As р-типа
статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Авторы:
Краак В.
,
Минина Н.Я.
,
Савин А.М.
,
Ильевский А.А.
,
Соренсен К.Б.
Журнал:
Письма в "Журнал технической физики"
Том:
28
Номер:
12
Год издания:
2002
Издательство:
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Местоположение издательства:
Москва
Первая страница:
85
Последняя страница:
90
Добавил в систему:
Минина Наталья Яковлевна