|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Electron transport and optical properties of shallow GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with a thin central AlAs barrierстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Vasil'evskii I.S., Lunin R.A., Galistu G., de Visser A., Galiev G.B., Shirokov S.S., Mokerov V.G.
- Журнал: Semiconductor Science and Technology
- Том: 22
- Номер: 3
- Год издания: 2007
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 222
- Последняя страница: 228
- DOI: 10.1088/0268-1242/22/3/009
- Добавил в систему: Лунин Роман Анатольевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | SST07.pdf | 272,8 КБ | 22 сентября 2015 [lunin] |