|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК N-INXGA1 - XAS МЕТОДОМ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТАстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Авакянц Л.П., Колмакова Т.П.
- Журнал: Неорганические материалы
- Том: 47
- Номер: 4
- Год издания: 2011
- Первая страница: 389
- Последняя страница: 393
- Аннотация: Исследованы особенности спектров комбинационного рассеяния света на связанных фонон-плазмонных модах в тройных соединениях n-InxGa1 - xAs при n = 1017 1019 см-3. Показано, что поведение высокочастотной моды L+ может быть описано в рамках модели связанных мод в приближении Друде. На основе предложенной теории и экспериментальных данных проведена оценка концентрации свободных носителей и состава твердого раствора.
- Добавил в систему: Авакянц Лев Павлович