|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Спектроскопия фотоотражения электронно-дырочных состояний квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs переменной шириныстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Глазырин Е.В., Казаков И.П., Червяков А.В.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 45
- Номер: 3
- Год издания: 2011
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 330
- Последняя страница: 334
- Аннотация: Методом спектроскопии фотоотражения исследован спектр электронно-дырочных состояний в квантовой яме GaAs/In0.5Ga0.5As переменной ширины от 1.1 до 3.6 нм. Произведен расчет энергий уровней размерного квантования электронов и дырок с учетом деформационно-индуцированных изменений зонной структуры квантовой ямы. Показано, что наилучшее совпадение экспериментальных данных с результатами расчета достигается при отношении разрывов зон проводимости и валентной на гетеропереходе Q=Delta Ec/Delta Ev=0.62/0.38. Обнаружен сигнал фотоотражения в области тени модулирующего излучения на расстояниях до 6 мм между пятнами зондирующего и модулирующего излучений.
- Добавил в систему: Авакянц Лев Павлович