|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Роль резонанса Фано в эффекте множественной экситонной генерации в квантовых точкахстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Оксенгендлер Б.Л., Марасулов М.Б., Никифоров В.Н.
- Журнал: Письма в "Журнал технической физики"
- Том: 42
- Номер: 4
- Год издания: 2016
- Издательство: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 60
- Последняя страница: 66
- Аннотация: Рассмотрено влияние интерференции двух путей перевода электрона из валентной зоны в зону проводимости в квантовой точке: первый путь --- обычный переход "валентная зона -> зона проводимости"; второй путь --- переход "валентная зона -> зона проводимости через виртуальное двухэлектронное состояние на уровне Тамма в квантовой точке, с последующим оже-эффектом, выбрасывающим один из электронов на таммовском уровне в зону проводимости. При когерентном сложении этих двух путей ионизации может реализоваться резонанс Фано, ведущий к увеличению коэффициента поглощения фотона. Это приводит к возрастанию внутренней эффективности преобразования света и может быть основой для увеличения КПД солнечного элемента на основе эффекта множественной экситонной генерации.
- Добавил в систему: Никифоров Владимир Николаевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | pisma_zhtf_2016_oks_fano.pdf | 97,5 КБ | 13 апреля 2016 [Nikiforov] |