Аннотация:Исследованы спектры электролюминесценции светодиодов (СД) повышенной мощности ультрафиолетового (УФ) и фиолетового спектрального диапазона, разработанных НПЦ ОЭП «Оптэл»,
сконструированные из кристаллов фирмы SemiLEDs на основе p-n-гетероструктур типа InGalN/AlGaN/GaN. Автоматизирована установка на основе монохроматора МДР-12 и разработана новая компьютерная программа. Спектры излучения СД в диапазоне токов от 10 до 350 мА имели основную полосу с максимумами в области длин волн от 380 нм (УФ диоды) до 411 нм (фиолетовые) (ђw= 3,18 ÷ 3,02 эВ). Форма основных спектральных полос проанализирована на основе модели двумерных структур с «хвостами» плотности состояний. Обнаружены дополнительные спектральные полосы в видимой области, от ђw = 2,22 эВ до 2,15 эВ, положение максимума которых изменялось в соответствии с максимумом основной полосы. Проведен анализ вольтамперных характеристик, мощности излучения и эффективности преобразования энергии в светодиодах.