|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
The DX-centre in GaAs delta-doped by Sn on vicinal substrate structuresтезисы доклада
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bogdanov E.V., Bugaev A.S., Senichkin A.P.
- Сборник: XXIII Int.Conf. on Semicond.Phys. Berlin, Germany. 1996
- Тезисы
- Год издания: 1996
- Первая страница: TuP-183
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович