Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
The DX-centre in GaAs delta-doped by Sn on vicinal substrate structures
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
Авторы:
Kulbachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
,
Kytin V.G.
,
Bogdanov E.V.
, Bugaev A.S.,
Senichkin A.P.
Сборник:
XXIII Int.Conf. on Semicond.Phys. Berlin, Germany. 1996
Тезисы
Год издания:
1996
Первая страница:
TuP-183
Добавил в систему:
Богданов Евгений Владимирович