|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температурыстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Черничкин В.И., Галеева А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Гавриленко В.И.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 53
- Номер: 9
- Год издания: 2019
- Издательство: Наука. С.-Петерб. отд-ние
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 1297
- Последняя страница: 1302
- DOI: 10.21883/ftp.2019.09.48143.27
- Аннотация: В эпитаксиальных пленках CdHgTe исследованы спектры фотопроводимости при различных температурах методом фурье-спектроскопии. В спектрах обнаружены особенности, связанные как с межзонным поглощением, там и с ионизацией примесно-дефектных состояний. Прослежена их эволюция с изменением температуры. Определены температуры "исчезновения" примесных особенностей, что позволило, используя уравнение электронейтральности, оценить концентрацию акцепторов в исследуемых структурах.
- Добавил в систему: Иконников Антон Владимирович