|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Photoelectromagnetic Effect Induced by Terahertz Radiation in (Bi1 –xSbx)2Te3 Topological Insulatorsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 сентября 2019 г.
- Авторы: Galeeva A.V., Gomanko M.A., Tamm M.E., Yashina L.V., Danilov S.N., Ryabova L.I., Khokhlov D.R.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 53
- Номер: 1
- Год издания: 2019
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 37
- Последняя страница: 41
- DOI: 10.1134/s1063782619010068
- Аннотация: На основании анализа фотоэлектромагнитного эффекта в трехмерных топологических изоляторах (Bi1-xSbx)2Te3 (0≤ x≤0.55) сделана оценка подвижности поверхностных носителей заряда. Высокая степень вырождения газа носителей в сочетании с низкой энергией возбуждающего терагерцового кванта обеспечивали неравновесный процесс, связанный исключительно с тепловым разогревом носителей. В этих условиях фотоэдс определяется градиентом подвижности поверхностных и объемных носителей. Фотоэдс и, следовательно, градиент подвижности полностью исчезают при увеличении объемной подвижности до 105 см2·В-1·с-1. В образцах со сравнительно низкой объемной подвижностью при тех же условиях эксперимента фотоэдс отчетливо наблюдается.
- Добавил в систему: Яшина Лада Валерьевна