|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperatureстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 октября 2019 г.
- Авторы: Uaman Svetikova T.A., Ikonnikov A.V., Rumyantsev V.V., Kozlov D.V., Chernichkin V.I., Galeeva A.V., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Morozov S.V., Gavrilenko V.I.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 53
- Номер: 9
- Год издания: 2019
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 1266
- Последняя страница: 1271
- DOI: 10.1134/s1063782619090240
- Аннотация: The photoconductivity spectra of epitaxial CdHgTe films are investigated by Fourier-transform spectroscopy at various temperatures. Features associated with both the interband absorption and ionization of impurity/defect states are found in the spectra. Their evolution with temperature is traced. The temperatures of “vanishing” of the impurity features are determined, which makes it possible to assess the acceptor concentration in the structures under study using the electroneutrality equation.
- Добавил в систему: Иконников Антон Владимирович