|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Absorption coefficient versus induced electric field dependence as a basis for optical bistability in a semiconductorстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Loginova M.M., Trofimov V.A.
- Журнал: Technical Physics
- Том: 51
- Номер: 5
- Год издания: 2006
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 615
- Последняя страница: 619
- DOI: 10.1134/S1063784206050124
- Аннотация: Using computer simulation, the feasibility of absorption optical bistability based on the dependence of the absorption coefficient on an electric field induced by a high-intensity laser pulse acting on a semiconductor and shifting the energy levels of atoms is demonstrated. Unlike the known mechanisms behind absorption optical bistability, here enhanced diffusion of charged particles does not change the rate of switching the system from the lower to upper state. Radiation-semiconductor interaction conditions are found when, after being switched to the upper state, the system remains in it until the laser pulse disappears.
- Добавил в систему: Трофимов Вячеслав Анатольевич