|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Single-electron transistor from highly doped silicon-on-insulatorтезисы доклада
- Авторы: Presnov D.E., Krupenin V.A., Afanasiev N.N., Erkhov D.N.
- Сборник: International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2005” (ICMNE-2005)
- Тезисы
- Год издания: 2005
- Место издания: Zvenigorod, Moscow region, Russia, 3-7 October
- Первая страница: P2-06
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич