|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Effect of uniaxial compression on quantum Hall plateaus and Shubnikov-de Haas oscillations in p-type GaAs/AlxGa1-xAs heterostructuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Hansen O.P., Olsen J.S., Kraak W., Saffian B., Minina N.Y., Savin A.M.
- Журнал: Physical Review B
- Том: 54
- Номер: 3
- Год издания: 1996
- Издательство: American Physical Society
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 1533
- Последняя страница: 1536
- DOI: 10.1103/PhysRevB.54.1533
- Аннотация: Quantum Hall effect and Shubnikov-de Haas oscillations in a two-dimensional hole gas at a p-type GaAs/Al0.5Ga0.5As(001) interface show that under in-plane (110) uniaxial compression a redistribution of carriers between the two spin-split subbands of the heavy-hole ground state takes place. At the maximal compression of 2.5 kbar the carrier density of the most populated subband is decreased by 18%, while the total carrier density remains almost unchanged. A decrease of the spin splitting under the uniaxial compression is proposed.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна