Определение концентрации свободных носителей заряда в легированных бором кремниевых нанонитях при помощи инфракрасной спектроскопии в режиме нарушенного полного внутреннего отражениястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 февраля 2020 г.
Аннотация:Методом инфракрасной спектроскопии в режиме нарушенного полного внутреннего отражения определена концентрация свободных носителей заряда в массивах кремниевых нанонитей с характерными поперечными размерами 50–100 нм и длиной порядка 10 мкм, сформированных на низколегированных подложках кристаллического кремния р-типа проводимости методом металл-стимулированного химического травления и подвергнутых дополнительному термодиффузионному легированию бором при температурах 850–1000 оС. Установлено, что в зависимости от температуры отжига концентрация свободных дырок в массивах варьируется от 5•1018 до 3•1019 см-3 и максимальна при температурах 900–950 оС. Полученные результаты могут быть использованы для расширения области применения кремниевых нанонитей в фотонике, сенсорике и термоэлектрических преобразователях энергии.