|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
РЕШЕТКИ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ С ПОВЫШЕННОЙ МОЩНОСТЬЮ И ЯРКОСТЬЮ ИМПУЛЬСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ИНТЕГРИРОВАННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 февраля 2020 г.
- Авторы: Коняев В.П., Мармалюк А.А., Ладугин М.А., Багаев Т.А., Зверков М.В., Кричевский В.В., Падалица А.А., Сапожников С.М., Симаков В.А.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 48
- Номер: 1
- Год издания: 2014
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 104
- Последняя страница: 108
- Аннотация: В работе приведены результаты исследования одиночных лазерных диодов и решеток спектрального диапазона 900-1060 нм, изготовленных на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs. Показано, что использование эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs позволяет создавать лазерные излучатели с повышенной мощностью и яркостью, работающиe в режиме коротких импульсов. Приведены результаты исследований характеристик изготовленных из указанных гетероструктур решеток лазерных диодов (РЛД).
- Добавил в систему: Багаев Тимур Анатольевич