Аннотация:Представлены результаты по определению границы устойчивости гетероструктур с кван-товыми ямами InGaAs/AlGaAs в процессе МОС-гидридной эпитаксии. Экспериментально доказано наличие критического значения эффективного напряжения, после превышения которого начинается активное дефектообразование. Установлено, что компенсация упругих напряжений в сильнонапряженных квантовых ямах InGaAs приводит к увеличению интенсивности их фото-люминесценции. Показано, что исключение влияния обменного взаимодействия As/P на гете-рограницах квантовых ям позволяет существенно поднять интенсивность излучения