|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
ВЛИЯНИЕ УПРУГИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ПРОЦЕСС ПОЛУЧЕНИЯ КВАНТОВЫХ ЯМ INGAAS/ALGAAS МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИстатья
- Авторы: Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А.
- Журнал: Вестник МИТХТ
- Том: 8
- Номер: 4
- Год издания: 2013
- Первая страница: 73
- Последняя страница: 76
- Аннотация: Представлены результаты по определению границы устойчивости гетероструктур с кван-товыми ямами InGaAs/AlGaAs в процессе МОС-гидридной эпитаксии. Экспериментально доказано наличие критического значения эффективного напряжения, после превышения которого начинается активное дефектообразование. Установлено, что компенсация упругих напряжений в сильнонапряженных квантовых ямах InGaAs приводит к увеличению интенсивности их фото-люминесценции. Показано, что исключение влияния обменного взаимодействия As/P на гете-рограницах квантовых ям позволяет существенно поднять интенсивность излучения
- Добавил в систему: Багаев Тимур Анатольевич