|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Al0.83In0.17N lattice-matched to GaN used as an optical blocking layer in GaN-based edge emitting lasersстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 октября 2019 г.
- Авторы: Antonino Castiglia, Eric Feltin, Gatien Cosendey, Alexei Altoukhov, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Nicolas Grandjean
- Журнал: Applied Physics Letters
- Том: 94
- Номер: 19
- Год издания: 2009
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 193506
- Последняя страница: 193506-3
- DOI: 10.1063/1.3138136
- Аннотация: Nitride-based blue laser diode structures with either Al0.83In0.17N/Al0.07Ga0.93N or Al0.87In0.13N bottom claddings have been fabricated and compared to standard structures including solely Al0.07Ga0.93N bottom claddings. Lasing emission at 415 nm is achieved in gain-guided structures at room temperature under pulsed current injection. Devices including the Al0.83In0.17N/Al0.07Ga0.93N bottom cladding exhibit superior device performance. This is a consequence of a better optical mode confinement, as expected from modeling.
- Добавил в систему: Алтухов Алексей Валерьевич