Raman diagnostics of free charge carriers in boron-doped silicon nanowiresстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 октября 2019 г.
Аннотация:Рамановская спектроскопия использована для зондирования свободных носителей заряда в слоях кремниевых нанопроводов (SiNWs), образованных с помощью химического травления кристаллических кремниевых пластин (c‐Si) с последующим дополнительным легированием бором. Однофононные Рамановские спектры легированных бором синусов сильно модифицированы за счет эффекта ФАНО, что позволило определить концентрацию свободных носителей в нанопроволоках в диапазоне от 10^19 до 10^20 см-3 в зависимости от условий легирования. С помощью микро-рамановского картирования был определен глубинный профиль плотности носителей заряда вдоль нанопроволок, которая уменьшается к границе раздела SiNWs/c-Si. Полученные результаты обсуждаются с учетом возможного применения спектроскопии комбинационного рассеяния для экспресс-диагностики легированных наноструктур Si в фотонике и термоэлектрике.Рамановская спектроскопия используется для зондирования свободных носителей заряда в слоях кремниевых нанопроводов (SiNWs), образованных с помощью химического травления кристаллических кремниевых пластин (c‐Si) с последующим дополнительным легированием бором. Однофононные Рамановские спектры легированных бором синусов сильно модифицированы за счет эффекта ФАНО, что позволило определить концентрацию свободных носителей в нанопроволоках в диапазоне от 1019 до 1020 см-3 в зависимости от условий легирования. С помощью микро-рамановского картирования был определен глубинный профиль плотности носителей заряда вдоль нанопроволок, которая уменьшается к границе раздела SiNWs/c-Si. Полученные результаты обсуждаются с учетом возможного применения спектроскопии комбинационного рассеяния для экспресс-диагностики легированных наноструктур Si в фотонике и термоэлектрике.