|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Broadband Near-IR photoluminescence of bismuth-doped pollucite-related phase CsGaGe2O6статья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 декабря 2019 г.
- Авторы: Romanov A.N., Haula E.V., Boldyrev K.N., Shashkin D.P., Korchak V.N.
- Журнал: Journal of Luminescence
- Том: 216
- Год издания: 2019
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 116741
- DOI: 10.1016/j.jlumin.2019.116741
- Аннотация: Polycrystalline samples of bismuth-doped CsGaGe2O6 with pollucite-related structure were prepared by crystallization from the melt. Intense broadband near-IR photoluminescence was observed in this phase. The photoluminescence emission and excitation spectra are characteristic for Bi+ monocation. Structural disorder in the framework of pollucite-related phase leads to the inhomogeneous broadening of photoluminescence emission spectrum. The influence of melt composition on the stabilization of subvalent Bi+ monocation was discussed in the terms of oxoacidity concept.
- Добавил в систему: Адельянов Артем Маратович