Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Effect of concentration of phosphorus in silicon on rate of generation of radiation defects by bombardment with reactor neutrons
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
Авторы:
Vavilov V.S.
,
Uvarov E.F.
,
Chukichev M.V.
Журнал:
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
Том:
3
Номер:
12
Год издания:
1970
Первая страница:
1557
Последняя страница:
1558
Добавил в систему:
Чукичев Михаил Васильевич