|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Excitonic Effects and Impurity–Defect Emission in GaAs/AlGaAsStructures Used for the Production of Mid-IR Photodetectorsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 февраля 2020 г.
- Авторы: Krivobok V.S., Litvinov D.A., Nikolaev S.N., Onishchenko E.E., Pashkeev D.A., Chernopittsky M.A., Grigor’eva L.N.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 53
- Номер: 12
- Год издания: 2019
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 1608
- Последняя страница: 1616
- DOI: 10.1134/S1063782619160139
- Добавил в систему: Григорьева Людмила Николаевна