Reflectance Modification in Nanostructured Silicon Layers with Gradient Porosity

Mussabek, G.K.; Yermukhamed, D.; Suleimenova, Z.A.; Assilbayeva, R.B.; Sivakov, V.A.; Zavestovskaya, I.N.; Timoshenko, V.Y.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 декабря 2019 г.

Авторы: Mussabek G.K., Yermukhamed D., Suleimenova Z.A., Assilbayeva R.B., Sivakov V.A., Zavestovskaya I.N., Timoshenko V.Yu
Журнал: Bulletin of the Lebedev Physics Institute
Том: 46
Номер: 10
Год издания: 2019
Первая страница: 314
Последняя страница: 318
DOI: 10.3103/S106833561910004X
Аннотация: Asigniﬁcantchangeineﬀectivereﬂectancespectraofnanostructuredporoussiliconlayers grown with diﬀerent times of metal-assisted chemical etching is detected. The low reﬂectances at the levelof5–10% measuredinthe spectralrange of200–400 nm are explained by strong elastic scattering of light in combination with absorption in silicon nanostructures, while a reﬂectance increase in the range of 500–1800 nm, which is visually detected as a “white” layer appearance is associated with Mie scattering in silicon nanostructures with gradient porosity under conditions of weak optical absorption. The results obtained are discussed from the viewpoint of potential applications of “black” and “white” nanocrystalline silicon in photonics and sensorics.
Добавил в систему: Тимошенко Виктор Юрьевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

Reflectance Modification in Nanostructured Silicon Layers with Gradient Porosityстатья

Прикрепленные файлы