Выращивание, морфология и особенности распределения примесей галлия и германия в кристаллах (Ga,Ge)-содержащего топаза - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Выращивание, морфология и особенности распределения примесей галлия и германия в кристаллах (Ga,Ge)-содержащего топазастатья

Авторы: Балицкий В.С., Балицкая Л.В., Пущаровский Д.Ю., Сеткова Т.В., Квас П.С., Некрасов А.Н., Бубликова Т.М., Нестерова В.А.
Сборник: Сборник материалов IX Российской молодёжной научно-практической школы «Новое в познании процессов рудообразования»
Год издания: 2019
Место издания: ИГЕМ РАН, Москва
Первая страница: 54
Последняя страница: 56
Добавил в систему: Балицкий Владимир Сергеевич

Прикрепленные файлы

№	Имя	Описание	Имя файла	Размер	Добавлен