|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Volatile surfactant-assisted MOCVD: Application to LaAlO3 thin-film growthстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 декабря 2020 г.
- Авторы: Molodyk A.A., Korsakov I.E., Novojilov M.A., Graboy I.E., Kaul A.R., Wahl G.
- Журнал: Chemical Vapor Deposition
- Том: 6
- Номер: 3
- Год издания: 2000
- Издательство: John Wiley & Sons Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 133
- Последняя страница: 138
- DOI: 10.1002/(SICI)1521-3862(200006)6:3<133::AID-CVDE133>3.0.CO;2-G
- Аннотация: A new approach to the CVD of oxides with kinetically hindered diffusion, called volatile surfactant-assisted (VSA) metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), consisting of film deposition in the presence of a volatile low melting point oxide (Bi2O3) has been developed. The process was applied to the deposition of LaAlO3 films, and a model of the process was proposed. Epitaxial and textured LaAlO3 films on various substrates were obtained, both by thermal and VSA MOCVD. A marked improvement in crystalline quality and surface morphology was found for the films deposited by VSA MOCVD. LaAlO3 films obtained in the presence of Bi2O3 did not contain Bi. A significant increase (up to five times) of the deposition rate was observed for LaAlO3 films deposited by VSA MOCVD compared with that for the films grown by thermal MOCVD.
- Добавил в систему: Корсаков Игорь Евгеньевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | 2000_Chem._Vap._Dep..pdf | 517,1 КБ | 5 июня 2023 [graboiig] |