Raman spectroscopy of silicon nanowires formed by metal-assisted chemical etching

Yakunin, V.G.; Asilbaeva, R.B.; Rodichkina, S.P.; Alykova, A.F.; Turmukhambetov, A.Z.; Timoshenko, V.Y.

Авторы: Yakunin V.G., Asilbaeva R.B., Rodichkina S.P., Alykova A.F., Turmukhambetov A.Zh, Timoshenko V.Yu
Журнал: Journal of Physics: Conference Series
Том: 1348
Год издания: 2019
Издательство: IOP Publishing
Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
Первая страница: 012025
DOI: 10.1088/1742-6596/1348/1/012025
Аннотация: Кремниевые нанонити, полученные методом металлосодержащего химического травления пластин кристаллического кремния (Si), изучены методом рамановской спектроскопии с целью выявления влияния времени формирования и дополнительного легирования бором и фосфором. Наблюдаемая модификация формы спектра в легированных бором образцах за счет эффекта Фано позволила оценить концентрацию свободных дырок в нанонитях порядка 10^19-10^20 см^-3 в зависимости от условий получения. Полученные результаты свидетельствуют о потенциале рамановской спектроскопии для бесконтактной диагностики электронных свойств кремниевых наноструктур.
Добавил в систему: Тимошенко Виктор Юрьевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

Raman spectroscopy of silicon nanowires formed by metal-assisted chemical etchingстатья

Прикрепленные файлы