|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Ab initio electronic structure of Ge(111)-(2×1) surface in the presence of surface vacancy. Apllication to STM data analysisстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Savinov S.V., Oreshkin A.I., Oreshkin S.I.
- Журнал: JETP Letters
- Том: 96
- Номер: 1
- Год издания: 2012
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 33
- Последняя страница: 37
- DOI: 10.1134/S0021364012130103
- Аннотация: We present the results of first principles modeling of Ge(111)-(2×1) surface in the presence of atomic vacancy in surface bi-layer. We showed that simple crystal structure defect affects surface electronic structure to the extent comparable with the influence of doping atom. We demonstrated the strong difference of surface LDOS structure above surface defects of different kind. We have proved that spatial oscillations of LDOS exist around individual surface vacancy in the same tunneling bias range as in case of donor doping atom on Ge(111)-(2×1) surface.
- Добавил в систему: Савинов Сергей Валентинович