|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Effect of 4H-SiC Target Temperature under Ion Irradiation on the Distribution Profile of Al+ Ionsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 апреля 2020 г.
- Авторы: Shemukhin A.A., Evseev A.P., Kozhemiako A.V., Merzuk B., Egorkin V.I., Fedotov Yu S., Danilov A.V., Chernysh V.S.
- Журнал: Moscow University Physics Bulletin
- Том: 74
- Номер: 6
- Год издания: 2019
- Издательство: Allerton Press
- Местоположение издательства: New York, N.Y., United States
- Первая страница: 47
- Последняя страница: 51
- DOI: 10.3103/S0027134919060249
- Добавил в систему: Евсеев Александр Павлович