|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
MOS-structure electrical damage is the most important factor of microelectronic chips’ plasma degradationстатья
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 июля 2020 г.
- Авторы: Riaby V.A., Savinov V.P., Sporykhin A.A., Yakunin V.G.
- Журнал: Russian Microelectronics
- Том: 25
- Номер: 2
- Год издания: 1996
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 45
- Добавил в систему: Рябый Валентин Анатольевич