Double etched porous silicon nanowire arrays for impedance sensing of influenza viruses

Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 16 сентября 2020 г.

Авторы: Gongalsky M.B., Tsurikova U.A., Samsonova J.V., Gvindzhiliiia G.Z., Gonchar K.A., Saushkin N.Yu, Kudryavtsev A.A., Kropotkina E.A., Gambaryan A.S., Osminkina L.A.
Журнал: Results in Materials
Номер: 6
Год издания: 2020
Издательство: Elsevier B.V.
Местоположение издательства: Netherlands
Первая страница: 100084
DOI: 10.1016/j.rinma.2020.100084
Аннотация: We report new sensing element based on double-etched porous silicon (DEPSi) for sensitive detection of influenzaviruses (H1N1). The proposed structure provided efficient penetration of virions into sensitive layer and trappingof them. Adsorption of the viruses led to significant shift of resonant frequency of DEPSi coupled with a coil,measured by impedance spectrometer. The detection limit of virions was lower than 100 TCID50. The results canbe used for invention of H1N1 sensor, which provide rapid, label-free and low-cost detection of influenza.
Добавил в систему: Осминкина Любовь Андреевна

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА