|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Control of the forbidden gap width by varying the composition and the thickness of the layers of IV-VI semiconductorsстатья
- Авторы: Pashaev A.M., Davarashvili O.I., Enukashvili M.I., Akhvlediani Z.G., Bychkova L.P., Zlomanov V.P.
- Журнал: Nano Studies
- Номер: 12
- Год издания: 2015
- Первая страница: 5
- Последняя страница: 10
- Добавил в систему: Зломанов Владимир Павлович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Краткий текст | 99-104_Abs.pdf | 142,4 КБ | 12 сентября 2018 [Zlomanov] |