|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
High-sensitivity MEMS pressure sensor utilizing bipolar junction transistor with temperature compensationстатья Исследовательская статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 августа 2021 г.
- Автор: Basov M.
- Журнал: Sensors and Actuators, A: Physical
- Том: 303
- Год издания: 2020
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 111705
- DOI: 10.1016/j.sna.2019.111705
- Аннотация: The paper presents MEMS pressure sensor chip utilizing novel electrical circuit with bipolar-junction transistor-based (BJT) differential amplifier with negative feedback loop (PDA-NFL). Pressure sensor chips with two circuits have been manufactured and tested: the first chip uses circuit with vertical n-p-n (V-NPN) BJTs and the second-circuit with horizontal p-n-p (L-PNP) BJTs. The demonstrated approach allows for increase of pressure sensitivity while keeping the same chip size regarding the chip with Wheatstone bridge circuit: 3.6X for circuit utilizing V-NPN BJTs and 2.4X for circuit utilizing L-PNP BJTs. Significant reduction of both noise and temperature instability of output signal has been demonstrated: output signal noise is about 15 V (U sup = 5 V) and temperature errors have only 2-3 times higher values regarding the chip with Wheatstone bridge circuit.
- Добавил в систему: Басов Михаил Викторович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Preprint._High-Sensitivity_MEMS_Pressure_Sensor_Utilizing_B… | 687,2 КБ | 6 августа 2021 [BasovMikhail] |